本报告深度剖析功率半导体器件行业，涵盖功率二极管、Si基MOSFET、Si基IGBT及SiC基器件四大核心品类。全球市场规模达160亿美元，其中功率二极管超50亿美元，MOSFET超70亿美元，IGBT超40亿美元。报告指出，新能源汽车、风电光伏等下游需求强劲，国产替代在二极管、中低压MOSFET等中低端领域率先突破，而IGBT等高端领域海外巨头仍占主导。适合半导体行业从业者、投资机构、电子工程师及战略规划人员阅读，助您把握行业趋势与投资机会。
本报告深度剖析功率半导体器件行业，涵盖功率二极管、Si基MOSFET、Si基IGBT及SiC基器件四大核心品类。全球市场规模达160亿美元，其中功率二极管超50亿美元，MOSFET超70亿美元，IGBT超40亿美元。报告指出，新能源汽车、风电光伏等下游需求强劲，国产替代在二极管、中低压MOSFET等中低端领域率先突破，而IGBT等高端领域海外巨头仍占主导。适合半导体行业从业者、投资机构、电子工程师及战略规划人员阅读，助您把握行业趋势与投资机会。
本报告深度剖析功率半导体器件行业，涵盖功率二极管、Si基MOSFET、Si基IGBT及SiC基器件四大核心品类。全球市场规模达160亿美元，其中功率二极管超50亿美元，MOSFET超70亿美元，IGBT超40亿美元。报告指出，新能源汽车、风电光伏等下游需求强劲，国产替代在二极管、中低压MOSFET等中低端领域率先突破，而IGBT等高端领域海外巨头仍占主导。适合半导体行业从业者、投资机构、电子工程师及战略规划人员阅读，助您把握行业趋势与投资机会。核心数据:全球功率半导体市场规模160亿美元;功率二极管市场超50亿美元;MOSFET市场规模超70亿美元。
本报告由中信证券发布,发布于 2018 年。
覆盖 2018 年,全文约 42。
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适合半导体行业分析师、电子工程师、投资机构、企业战略规划人员等读者参考。
重点分析了新能源、中信证券、替代等议题。