半导体行业系列专题(六)-刻蚀:半导体制造核心设备,国产化之典范-240702-平安证券
刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制 造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。 等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP
刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制 造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。 等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP
刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制 造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。 等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP
刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制 造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。 等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP核心数据:造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。;总体看,国内刻蚀设备成功打破海外垄断,达到国际先进水平,是国产替代的典范。;看点:国产替代+先进制程+海外拓展有望拉动长期增长。。
本报告由投资咨询发布,发布于 2024 年。
覆盖 2024 年,全文约 30。
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适合战略规划、行业研究员等读者参考。
重点分析了制造、设备、材料等议题。