电子行业HBM深度研究一:原厂倾力扩产,HBM会过剩吗?-240612-华福证券
近片存储成就高带宽,有限空间依赖堆叠封装。 要通过 2.5D/3D 封装纵向延伸,通过 TSV 将多个 DDR 颗粒、逻辑 Die 单颗 HBM 颗粒的位宽已达 1024-bit,为 GDDR5 的 32 倍。
近片存储成就高带宽,有限空间依赖堆叠封装。 要通过 2.5D/3D 封装纵向延伸,通过 TSV 将多个 DDR 颗粒、逻辑 Die 单颗 HBM 颗粒的位宽已达 1024-bit,为 GDDR5 的 32 倍。
近片存储成就高带宽,有限空间依赖堆叠封装。 要通过 2.5D/3D 封装纵向延伸,通过 TSV 将多个 DDR 颗粒、逻辑 Die 单颗 HBM 颗粒的位宽已达 1024-bit,为 GDDR5 的 32 倍。
近片存储成就高带宽,有限空间依赖堆叠封装。 要通过 2.5D/3D 封装纵向延伸,通过 TSV 将多个 DDR 颗粒、逻辑 Die 单颗 HBM 颗粒的位宽已达 1024-bit,为 GDDR5 的 32 倍。核心数据:额领先,合计份额约为 95%。;场规模有望达到 355 亿美元,一定程度缓解 HBM 供给紧张状况。;年亦将翻倍增长,25 年需求量有望达 20.8 亿 GB,整体市场规模有望。
本报告由华福证券发布,发布于 2024 年。
覆盖 2024 年,全文约 13。
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适合战略规划、行业研究员等读者参考。
重点分析了电子、设备等议题。