第三代半导体政策红利分析:碳化硅衬底市场爆发,新能源汽车驱动百亿增量
第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在高温、高压、高功率领域优势显著,新能源汽车为SiC最大下游。据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年4亿美元增至2027年172亿美元,CAGR约51%;碳化硅衬底市场从1.21亿美元增至2024年11亿美元,CAGR 44%。国内厂商如天科合达、露笑科技等积极布局,全产业链自主可控。投资建议关注设备、衬底、外延及器件环节。
第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在高温、高压、高功率领域优势显著,新能源汽车为SiC最大下游。据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年4亿美元增至2027年172亿美元,CAGR约51%;碳化硅衬底市场从1.21亿美元增至2024年11亿美元,CAGR 44%。国内厂商如天科合达、露笑科技等积极布局,全产业链自主可控。投资建议关注设备、衬底、外延及器件环节。
第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在高温、高压、高功率领域优势显著,新能源汽车为SiC最大下游。据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年4亿美元增至2027年172亿美元,CAGR约51%;碳化硅衬底市场从1.21亿美元增至2024年11亿美元,CAGR 44%。国内厂商如天科合达、露笑科技等积极布局,全产业链自主可控。投资建议关注设备、衬底、外延及器件环节。
第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在高温、高压、高功率领域优势显著,新能源汽车为SiC最大下游。据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年4亿美元增至2027年172亿美元,CAGR约51%;碳化硅衬底市场从1.21亿美元增至2024年11亿美元,CAGR 44%。国内厂商如天科合达、露笑科技等积极布局,全产业链自主可控。投资建议关注设备、衬底、外延及器件环节。核心数据:172亿美元;11亿美元。
本报告由光大证券发布,发布于 2021 年。
覆盖 2021 年,全文约 33。
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适合投资者、半导体行业从业者、新能源汽车产业链等读者参考。
重点分析了新能源、碳化硅衬底、爆发等议题。